ディスク バリスタ エレクトロニクス ESD 保護

特徴と技術的特徴
小型、大流量、大エネルギー耐性
エポキシ絶縁カプセル封入
応答時間: <25ns
使用温度範囲：-40℃～+85℃
絶縁抵抗: ≥500MΩ
バリスタ電圧温度係数：-0.5%/℃
チップ径：5、7、10、14、20、25、32、40mm
バリスタ電圧の許容偏差は：K±10%

応用

トランジスタ、ダイオード、IC、サイリスタ、半導体スイッチング素子、各種電子機器の過電圧保護
家電、産業機器、リレー、電子バルブのサージ吸収
静電放電とノイズ信号のキャンセル
漏電保護、スイッチ過電圧保護
電話、プログラム制御スイッチ、その他の通信機器および過電圧保護

生産工程

認証

よくある質問
バリスタの基本特性は？

(1) 衝撃源の衝撃強度 (または衝撃電流 Isp=Usp/Zs) が規定値を超えない場合、バリスタの制限電圧が衝撃耐電圧 (Urp) を超えない保護特性保護されたオブジェクトが耐えられること。

(2) 耐衝撃特性、つまり、バリスタ自体が規定の衝撃電流、衝撃エネルギー、複数回の衝撃が連続した場合の平均電力に耐えられること。

(3) 2 つの寿命特性があり、1 つは連続動作電圧寿命です。つまり、バリスタは、指定された周囲温度およびシステム電圧条件下で、指定された時間 (時間) にわたって確実に動作できる必要があります。2つ目は衝撃寿命、つまり規定の衝撃に確実に耐えられる回数です。

（4）バリスタがシステムに関与した後、「安全弁」の保護機能に加えて、いわゆる「二次効果」であるいくつかの追加効果ももたらします。システムの作業パフォーマンス。